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GaN HEMT外延材料
外延材料
所屬行業:
新材料
合作信息期限:
2020-2
參考價格:
面議
合作信息類型:
意向合作
機構類型:
科研院所
供求關系:
供應
合作信息簡介:
【技術簡介】GaN HEMT材料具有低的導通電阻、高的工作頻率,能滿足下一代功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。相對于同為寬禁帶半導體的SiC大功率器件,GaN高功率器件不僅具有耐高壓以及高電流的特性,更具有開關速度快,在同樣的耐壓條件下,導通電阻遠低于SiC功率器件等優..
大尺寸硅外延生產技術
大尺寸
硅外延
生產技術
所屬行業:
新材料
合作信息期限:
2016-2
參考價格:
面議
合作信息類型:
意向合作
機構類型:
企業
供求關系:
供應
合作信息簡介:
【技術簡介】通過對外延設備在硅片上再生長一層外延層的控制、不同的參雜等,可滿足不同客戶的產品需求。外延工藝是以 SiHCl3為源,通過中頻加熱方式進行氣相淀積,電阻率、厚度、均勻性和重復性均能得到較好的控制。 【技術特點】已完全掌握6~8英寸硅外延工藝和技術,產品及工藝技術水平國內..
新一代無線移動通信用射頻集成電路及模塊
無線移動通信
射頻
集成電路
所屬行業:
電子信息
合作信息期限:
2016-2
參考價格:
面議
合作信息類型:
意向合作
機構類型:
企業
供求關系:
供應
合作信息簡介:
【技術簡介】 (1)射頻控制類集成電路技術。采用成熟的0.5um PHEMT技術加工的PHEMT具有較低的溝道電阻,較高的擊穿電壓,加上精確的金屬膜電阻技術和通孔技術,可以實現低插損、高隔離的射頻開關芯片設計。 (2)GaAs多功能IC的設計技術。在IC設計中,采用E/D PHEMT技術,將增強型和耗盡型..
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頁 總數:
3
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