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    合作信息
    GaN HEMT外延材料
    發布單位:中國電子科技集團公司第五十五研究所
    所屬行業:新材料
    合作信息類型:意向合作
    機構類型:科研院所
    供求關系:供應
    合作信息期限:2020-2
    參考價格:面議
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    合作信息簡介
    【技術簡介】GaN HEMT材料具有低的導通電阻、高的工作頻率,能滿足下一代功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。相對于同為寬禁帶半導體的SiC大功率器件,GaN高功率器件不僅具有耐高壓以及高電流的特性,更具有開關速度快,在同樣的耐壓條件下,導通電阻遠低于SiC功率器件等優勢,具有更快的速度,更小的損耗以及更高的效率。
    GaN基產品具有高射頻功率密度和效率、低電容和高熱能傳導性等特點,這些特點使精密高效的高功率放大器得到發展及廣泛應用,這些應用包括移動無線通信(PMR)、3G/4G無線基礎設施、ISM(工業、科學和醫療)、民用雷達以及CATV傳輸網絡。
    【主要技術指標】
    4英寸GaN HEMT外延材料:
    (1)方塊電阻不均勻性<2%
    (2)室溫二維電子氣遷移率>2000cm2/V.s
    (3)GaN緩沖層(002)面XRD衍射峰半高寬<240弧秒、
    (4)表面粗糙度<0.5nm
    【技術特點】金屬基泄氣保用車輛是一項具有自主知識產權新型發明產品。在實現零壓續跑的和輕量化的同時,可徹底改善輪胎散熱條件,延長輪胎使用壽命,提高輪式車輛的安全性、舒適性和泄氣使用等綜合性能。
    【技術水平】國際先進
    【適用范圍】雷達、無線通信、能源轉換車等行業領域。
    【專利狀態】已取得專利17項
    【技術狀態】小批量生產、工程應用階段
    【合作方式】合作開發
    【投入需求】5000萬元
    【轉化周期】3年
    【預期效益】GaN HEMT外延材料是新型微波功率器件、電力電子器件研制的基礎,在電力傳輸、能源轉換、無線通信、新能源汽車等行業領域有著廣闊的應用前景。目前中國電子科技集團公司第五十五研究所年產4英寸GaN HEMT外延片2000片以上,產值達到6000萬元每年,如果加大投入并吸收海內外高水平技術、營銷團隊,該項目年產值將達到3億元以上。
    【聯系方式】李忠輝  025-68005201/13813872026
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