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高性能功率VDMOS/IGBT晶體管
關(guān)鍵字：
高性能
VDMOS/IGBT
晶體管
所屬行業(yè)：
電子信息
發(fā)布時間：
2015-01-29
價格：
所在地區(qū)：
陜西 西安
合作信息期限：
2016年2月
合作信息類型：
成果轉(zhuǎn)讓
機構(gòu)類型：
企業(yè)
供求關(guān)系：
供應(yīng)
合作信息簡介：
【技術(shù)簡介】功率VDMOS場效應(yīng)晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件，其主要優(yōu)點是開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。 功率MOS晶體管一般用作開關(guān)電源或電機控制器的主開關(guān)器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此，新型功率MOS晶體管是高新設(shè)備中非常重要的基礎(chǔ)器件..
發(fā)布機構(gòu)：
西安衛(wèi)光科技有限公司
共
1
頁 總數(shù)：
2
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