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    合作信息
    高性能功率VDMOS/IGBT晶體管
    發(fā)布單位:西安衛(wèi)光科技有限公司
    所屬行業(yè):電子信息
    合作信息類型:成果轉(zhuǎn)讓
    機(jī)構(gòu)類型:企業(yè)
    供求關(guān)系:供應(yīng)
    合作信息期限:2016-2
    參考價(jià)格:面議
    0
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    合作信息簡(jiǎn)介
    【技術(shù)簡(jiǎn)介】功率VDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件,其主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。

      功率MOS晶體管一般用作開關(guān)電源或電機(jī)控制器的主開關(guān)器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此,新型功率MOS晶體管是高新設(shè)備中非常重要的基礎(chǔ)器件,對(duì)電源系統(tǒng)小型化、高性能化而言是必不可少的;對(duì)提高整機(jī)的性能具有十分重要的、普遍的意義。

      迄今,我國(guó)民用功率MOS晶體管依然主要依靠進(jìn)口,批量生產(chǎn)的技術(shù)平臺(tái)沒有得到很好的建立。已經(jīng)影響到電力電子行業(yè),尤其是汽車電子、電力傳動(dòng)、動(dòng)力電能轉(zhuǎn)換設(shè)備的性能提升。因此,實(shí)現(xiàn)功率MOS晶體管軍轉(zhuǎn)民的產(chǎn)業(yè)化,對(duì)打破國(guó)外技術(shù)壟斷、實(shí)現(xiàn)自主創(chuàng)新,建立節(jié)約型社會(huì)、實(shí)現(xiàn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展等均具有十分重要的意義。

      【技術(shù)特點(diǎn)】功率MOS晶體管是場(chǎng)控多子器件具備開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、安全工作區(qū)寬的特點(diǎn)。

      由于開關(guān)速度快,在開關(guān)電源等變流裝置中,可使電路在更高的頻率下工作,因此可大大減小變壓器的體積和重量。電源不但在電子設(shè)備中必不可少,而且往往是電子設(shè)備中最笨重的部分。因此,功率MOS晶體管對(duì)促進(jìn)軍用電子裝置的小型化、輕量化具有決定性的影響。對(duì)航天工程和導(dǎo)彈,意味著燃料消耗減少、射程增加;由于驅(qū)動(dòng)功率小,使驅(qū)動(dòng)電路大大簡(jiǎn)化,元器件數(shù)量減少,故障率降低;由于安全工作區(qū)寬、熱穩(wěn)定性好,因此使用中不易燒毀,可提高武器裝備的可靠性。

      【技術(shù)指標(biāo)】


    器件型號(hào)    主要指標(biāo)
    CS50N6      BVDSS=60V,ID=50A,
    CS75N5.5    BVDSS=55V,ID=75A,
    CS10N10     BVDSS=100V,ID=10A,
    CS28N10     BVDSS=100V,ID=28A,
    CS75N10     BVDSS=100V,ID=75A,
    CS9N20      BVDSS=200V,ID=9A,
    CS17N20     BVDSS=200V,ID=17A,
    CS8N50      BVDSS=500V,ID=8A,
    WVM65N20    BVDSS=200V,ID=65A,
    WVM32N50    BVDSS=500V,ID=32A,
    WVM65N20    BVDSS=200V,ID=65A,
    WVM77N65    BVDSS=650V,ID=77A,

      
      【技術(shù)水平】國(guó)際先進(jìn)

      【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】電力電子行業(yè),包含:汽車電子、電力傳動(dòng)、逆變等。

      【專利狀態(tài)】已取得專利3項(xiàng)

      【技術(shù)狀態(tài)】批量生產(chǎn)、成熟應(yīng)用階段

      【合作方式】融資需求

      【投入需求】500萬元

      【轉(zhuǎn)化周期】1年

      【預(yù)期效益】MOS 功率器件因其性能先進(jìn),又具有明顯的節(jié)能、功能驅(qū)動(dòng)作用,在綠色電源、通信及計(jì)算機(jī)電源、變頻調(diào)速、感應(yīng)加熱、新型家電、電動(dòng)交通工具等領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用前景。

      受到下游電子制造業(yè)快速發(fā)展的影響,2004 年到2008年中國(guó)MOS市場(chǎng)快速增長(zhǎng),2008年,中國(guó)MOS 市場(chǎng)需求量為198.2億個(gè),比2007 年增長(zhǎng)了11.9%,市場(chǎng)需求額為237.0 億元,比2007 年增長(zhǎng)10.9%。

      2009年功率MOS市場(chǎng)銷售收入的主要來源是三個(gè)領(lǐng)域:數(shù)據(jù)處理占銷售收入的41%,消費(fèi)電子占25%,通信占23%。2010年通訊領(lǐng)域,創(chuàng)造了6.17億美元的功率MOS銷售收入,高于2009年的3.65億美元。消費(fèi)電子2010年創(chuàng)造5.7億美元的功率MOS銷售收入。2010年汽車市場(chǎng)創(chuàng)造1.01億美元的功率MOS銷售收入,比2009年勁增64%。

      2010年中國(guó)功率MOS市場(chǎng)快速增長(zhǎng),銷售額達(dá)到23億美元,比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。功率MOS在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面,難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求,包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。

      2010-2015年增長(zhǎng)速度約為12%,市場(chǎng)的總體復(fù)合年度增長(zhǎng)率將為13.7%,筆記本將是推動(dòng)增長(zhǎng)的主要因素。憑借著較快的市場(chǎng)增長(zhǎng)率以及廣闊的市場(chǎng)發(fā)展空間,MOS管成為中國(guó)分立功率器件市場(chǎng)發(fā)展亮點(diǎn)。

      上述數(shù)據(jù)表明:該項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益好,能為企業(yè)增加較大的利潤(rùn),投資回收期短,抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng),全面衡量結(jié)果認(rèn)為:本項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益好,項(xiàng)目可行。

      【聯(lián)系方式】劉文輝029-84508244/18991165860
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