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2”GaN襯底
關鍵字：
2”GaN襯底
所屬行業：
新材料
發布時間：
2015-12-09
價格：
所在地區：
江蘇 蘇州
合作信息期限：
2017年5月
合作信息類型：
意向合作
機構類型：
科研院所
供求關系：
供應
合作信息簡介：
氮化鎵(GaN)晶片作為第三代半導體發展的關鍵材料，是未來新一代光電子、功率電子和高頻微電子器件的關鍵支撐材料。其核心技術是氫化物氣相外延。在流體動力學模擬、應用控制技術、襯底分離技術、摻雜技術、研磨拋光技術等多方面取得突破，實現了氮化鎵(GaN)晶片的成套制備技術，各項技術指標達到國際..
發布機構：
中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
共
1
頁 總數：
2
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