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2”GaN襯底
關(guān)鍵字：
2”GaN襯底
所屬行業(yè)：
新材料
發(fā)布時(shí)間：
2015-12-09
價(jià)格：
所在地區(qū)：
江蘇 蘇州
合作信息期限：
2017年5月
合作信息類型：
意向合作
機(jī)構(gòu)類型：
科研院所
供求關(guān)系：
供應(yīng)
合作信息簡介：
氮化鎵(GaN)晶片作為第三代半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵材料，是未來新一代光電子、功率電子和高頻微電子器件的關(guān)鍵支撐材料。其核心技術(shù)是氫化物氣相外延。在流體動(dòng)力學(xué)模擬、應(yīng)用控制技術(shù)、襯底分離技術(shù)、摻雜技術(shù)、研磨拋光技術(shù)等多方面取得突破，實(shí)現(xiàn)了氮化鎵(GaN)晶片的成套制備技術(shù)，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際..
發(fā)布機(jī)構(gòu)：
中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
共
1
頁 總數(shù)：
2
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