合作信息
2”GaN襯底
發布單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所屬行業：新材料
合作信息類型：意向合作
機構類型：科研院所
供求關系：供應
合作信息期限：2017-5
參考價格：面議
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合作信息簡介
氮化鎵(GaN)晶片作為第三代半導體發展的關鍵材料，是未來新一代光電子、功率電子和高頻微電子器件的關鍵支撐材料。其核心技術是氫化物氣相外延。在流體動力學模擬、應用控制技術、襯底分離技術、摻雜技術、研磨拋光技術等多方面取得突破，實現了氮化鎵(GaN)晶片的成套制備技術，各項技術指標達到國際先進水平。
合作方式面議
聯系單位中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
聯系人周揚
聯系電話13912612332
郵箱yangzhou2008@sinano.ac.cn
合作方式面議
聯系單位中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
聯系人周揚
聯系電話13912612332
郵箱yangzhou2008@sinano.ac.cn
