合作信息
2”GaN襯底
發(fā)布單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
所屬行業(yè)：新材料
合作信息類型：意向合作
機(jī)構(gòu)類型：科研院所
供求關(guān)系：供應(yīng)
合作信息期限：2017-5
參考價(jià)格：面議
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收藏?cái)?shù)
合作信息簡(jiǎn)介
氮化鎵(GaN)晶片作為第三代半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵材料，是未來新一代光電子、功率電子和高頻微電子器件的關(guān)鍵支撐材料。其核心技術(shù)是氫化物氣相外延。在流體動(dòng)力學(xué)模擬、應(yīng)用控制技術(shù)、襯底分離技術(shù)、摻雜技術(shù)、研磨拋光技術(shù)等多方面取得突破，實(shí)現(xiàn)了氮化鎵(GaN)晶片的成套制備技術(shù)，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
合作方式面議
聯(lián)系單位中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
聯(lián)系人周揚(yáng)
聯(lián)系電話13912612332
郵箱yangzhou2008@sinano.ac.cn
合作方式面議
聯(lián)系單位中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
聯(lián)系人周揚(yáng)
聯(lián)系電話13912612332
郵箱yangzhou2008@sinano.ac.cn
