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高性能功率VDMOS/IGBT晶體管
關(guān)鍵字：
高性能
VDMOS/IGBT
晶體管
所屬行業(yè)：
電子信息
發(fā)布時(shí)間：
2015-01-29
價(jià)格：
所在地區(qū)：
陜西 西安
合作信息期限：
2016年2月
合作信息類型：
成果轉(zhuǎn)讓
機(jī)構(gòu)類型：
企業(yè)
供求關(guān)系：
供應(yīng)
合作信息簡介：
【技術(shù)簡介】功率VDMOS場效應(yīng)晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件，其主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。 功率MOS晶體管一般用作開關(guān)電源或電機(jī)控制器的主開關(guān)器件。電源是任何電子裝置中必不可少的組成部分。因此，新型功率MOS晶體管是高新設(shè)備中非常重要的基礎(chǔ)器件..
發(fā)布機(jī)構(gòu)：
西安衛(wèi)光科技有限公司
高性能功率IGBT晶體管的關(guān)鍵技術(shù)
關(guān)鍵字：
IGBT晶體管
所屬行業(yè)：
電子信息
發(fā)布時(shí)間：
2015-01-20
價(jià)格：
所在地區(qū)：
陜西 西安
合作信息期限：
2016年1月
合作信息類型：
技術(shù)協(xié)作
機(jī)構(gòu)類型：
企業(yè)
供求關(guān)系：
供應(yīng)
合作信息簡介：
【技術(shù)簡介】功率IGBT晶體管是新一代大功率半導(dǎo)體器件，其主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)迅速、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、溫度穩(wěn)定性好。 由于開關(guān)迅速，在開關(guān)電源等變流裝置中，可使電路在更高的頻率下工作，因此可大大減小變壓器的體積和重量。由于驅(qū)動功率小，使驅(qū)動電路大大簡化，元器件數(shù)量減少，故障..
發(fā)布機(jī)構(gòu)：
西安衛(wèi)光科技有限公司
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