合作信息
銻化物超晶格紅外探測(cè)外延材料
發(fā)布單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
所屬行業(yè)：新材料
合作信息類型：意向合作
機(jī)構(gòu)類型：科研院所
供求關(guān)系：供應(yīng)
合作信息期限：2019-8
參考價(jià)格：面議
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合作信息簡(jiǎn)介
【技術(shù)簡(jiǎn)介】銻化物超晶格紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)，是近年來(lái)發(fā)展十分迅速的第三代高性能制冷型紅外探測(cè)技術(shù)。其良好的均勻性、相對(duì)較低的制備難度、較高的成品率以及與碲鎘汞材料相當(dāng)?shù)募t外技術(shù)性能，使得整個(gè)紅外探測(cè)器組件滿足了當(dāng)前多種裝備平臺(tái)應(yīng)用所必須的：成本、體積、重量、功耗（C-SWaP）等控制要求。具體說(shuō)來(lái)：1、其探測(cè)效率與碲鎘汞相當(dāng)，可以采用能帶調(diào)控方法實(shí)現(xiàn)2-30微米寬譜響應(yīng)；2、材料制備技術(shù)難度低，可以利用分子束外延等技術(shù)獲得均勻性好、制備重復(fù)性高、穩(wěn)定性好的高性能材料，目前我單位最大外延材料尺寸達(dá)到4英寸，充分滿足了1K×1K以上大面陣紅外焦平面芯片的研制需求。
【主要技術(shù)指標(biāo)】
PARAMETER 中波紅外焦平面 長(zhǎng)波紅外焦平面
Format 640×512 640×512
NETD ≤ 20mK ≤ 20mK
Pitch 15 μm 15 μm
Waveband 3.7-4.8 μm 7.7 ~10μm
Cold shield F# F/2 F/2
FPA Working Temperature 120K 80K
Frame rate @ full window 30/60 Hz 30/60 Hz
DDC weight 600g 600g
【技術(shù)水平】國(guó)內(nèi)領(lǐng)先
【使用范圍】紅外夜視，紅外制導(dǎo)，紅外預(yù)警
【專利狀態(tài)】申請(qǐng)專利13項(xiàng)
【技術(shù)狀態(tài)】試生產(chǎn)，應(yīng)用開(kāi)發(fā)階段
【合作方式】合作開(kāi)發(fā)
【投入需求】初級(jí)生產(chǎn)線總投入約2億
【轉(zhuǎn)化周期】3年
【預(yù)期效益】預(yù)計(jì)年產(chǎn)值超過(guò)10億人民幣
【聯(lián)系方式】王國(guó)偉 13811983746/01082304702
【主要技術(shù)指標(biāo)】
PARAMETER 中波紅外焦平面 長(zhǎng)波紅外焦平面
Format 640×512 640×512
NETD ≤ 20mK ≤ 20mK
Pitch 15 μm 15 μm
Waveband 3.7-4.8 μm 7.7 ~10μm
Cold shield F# F/2 F/2
FPA Working Temperature 120K 80K
Frame rate @ full window 30/60 Hz 30/60 Hz
DDC weight 600g 600g
【技術(shù)水平】國(guó)內(nèi)領(lǐng)先
【使用范圍】紅外夜視，紅外制導(dǎo)，紅外預(yù)警
【專利狀態(tài)】申請(qǐng)專利13項(xiàng)
【技術(shù)狀態(tài)】試生產(chǎn)，應(yīng)用開(kāi)發(fā)階段
【合作方式】合作開(kāi)發(fā)
【投入需求】初級(jí)生產(chǎn)線總投入約2億
【轉(zhuǎn)化周期】3年
【預(yù)期效益】預(yù)計(jì)年產(chǎn)值超過(guò)10億人民幣
【聯(lián)系方式】王國(guó)偉 13811983746/01082304702
