【技術領域】微電子與電子信息

　　【技術開發單位】中國科學院半導體研究所

　　【技術簡介】采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）方法，在藍寶石或碳化硅襯底上外延高性能氮化鎵（GaN）基電子材料。

　　【技術特點】采用本技術制備GaN基電子材料，生長速度快，產量高，質量、重復性和均勻性好。利用制備材料已研制出國內第一支GaN基HEMT和X波段GaN基功率器件，國內第一塊GaN功率MMIC，以及國內領先、國際先進的GaN基功率器件。

　　【技術水平】已達到國內領先、國際先進水平，部分指標達到國際領先水平，GaN基電子材料主要指標如下：
　　（1）尺寸：2英寸或3英寸；
　　（2）平均方塊電阻：270Ω/□～400Ω/□；
　　（3）方塊電阻不均勻性：＜3％ ；
　　（4）室溫二維電子氣遷移率：＞1800cm2/Vs；
　　（5）10μm×10μm范圍表面粗糙度：＜0.5nm。

　　【可應用領域和范圍】該材料適于研制高頻、大功率GaN基功率器件和單片集成電路，在手機基站、衛星通信、航空航天等領域具有重大應用前景和市場潛力。

　　【專利狀態】已獲得專利14項，申請專利1項。

　　【技術狀態】小批量生產階段

　　【合作方式】技術轉讓  股權投資  風險投資  合作開發

　　【投入需求】外延材料生長的MOCVD設備、測試設備及超凈工藝間。

　　【預期效益】目前碳化硅襯底的GaN基電子材料，3英寸的大約10萬元/片，2英寸的大約5～8萬元/片。利用本技術建立2～3英寸GaN基電子材料研制平臺，可滿足國內器件和電路研制單位對GaN基電子材料的需求。按照兩臺（2英寸和3英寸各一臺）3片MOCVD系統估計，每年可生長2英寸和3英寸外延片各1500片，預計經濟效益可超過2億元。

　　【聯系方式】王曉亮   010-82304170   13910513723