1956年，在我國十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被列為當(dāng)時國家新技術(shù)四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的研究發(fā)展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所（以下簡稱半導(dǎo)體所），開啟了中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。

      半導(dǎo)體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學(xué)國家重點聯(lián)合實驗室、表面物理國家重點實驗室（半導(dǎo)體所區(qū)）；兩個院級實驗室（中心）—半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心。此外，還設(shè)有半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心、光電子研究發(fā)展中心、高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實驗室、納米光電子實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室、元器件檢測中心和半導(dǎo)體能源研究發(fā)展中心。并成立了圖書信息中心，為研究所提供科研支撐服務(wù)。

      半導(dǎo)體研究所現(xiàn)有職工690余名，其中科技人員480余名，中國科學(xué)院院士8名，中國工程院院士2名，正副研究員及高級工程技術(shù)人員209名，“百人計劃”入選者及國家“杰青”獲得者44人次、國家百千萬人才工程入選者6名。其中黃昆先生榮獲2001年度國家最高科學(xué)技術(shù)獎。設(shè)有3個博士后流動站，3個一級學(xué)科博士培養(yǎng)點，3個工程碩士培養(yǎng)點，。

      半導(dǎo)體所高度重視國內(nèi)外交流合作，與地方政府、科研機構(gòu)、大學(xué)和企業(yè)等共建了1個院士工作站、3個研發(fā)（轉(zhuǎn)移）中心、9個聯(lián)合實驗室，積極為企業(yè)和區(qū)域經(jīng)濟社會發(fā)展服務(wù)。同時積極開展多層次、全方位的國際學(xué)術(shù)交流與合作，成績顯著，科學(xué)技術(shù)部和國家外國專家局批準(zhǔn)成立“國家級國際聯(lián)合研究中心”。并且以自主知識產(chǎn)權(quán)的專利和專有技術(shù)投資，融合社會資本建立了10余家高技術(shù)企業(yè)，并實施科研成果轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實生產(chǎn)力，已初步形成產(chǎn)業(yè)化、商品化規(guī)模。

      半導(dǎo)體所秉承“以人為本、創(chuàng)新跨越、唯真求實、和諧發(fā)展”的辦所理念，奮斗不息，勇攀高峰，取得了快速發(fā)展，研究所已逐漸發(fā)展成為集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及其系統(tǒng)集成應(yīng)用于一體的國家級半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的綜合性研究機構(gòu)。

      半導(dǎo)體所的中長期發(fā)展戰(zhàn)略目標(biāo)是：開展與國家發(fā)展密切相關(guān)的、世界科技前沿的基礎(chǔ)性、前瞻性、戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新活動，為發(fā)展我國的高新技術(shù)提供源源不斷的動力；以國家戰(zhàn)略需求為導(dǎo)向，開展戰(zhàn)略高技術(shù)研究，為國民經(jīng)濟和國防建設(shè)提供科技支撐，并為相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進步作出貢獻；吸引、聚集和培養(yǎng)國際一流人才；建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平臺，實現(xiàn)科技創(chuàng)新能力的跨越和持續(xù)發(fā)展，成為引領(lǐng)我國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)發(fā)展的火車頭。