【技術開發單位】中國建筑材料科學研究總院

　　【技術簡介】技術源自于起爆器用高純超精拋光氧化鋁陶瓷基片。通過研發掌握了高純氧化鋁陶瓷基片的成型、致密、超精拋光等關鍵技術，基片產品的材料性能及光學性能優異，處于國內領先水平。可應用于厚膜電路、薄膜電路基板，還可作為陶瓷覆銅板、半導體致冷器、臭氧發生器及電子陶瓷元件的薄型承燒板。

　　【技術特點】該技術攻克了高純氧化鋁陶瓷基片成型、燒結、拋光過程的各項難題，良好的控制了晶粒尺寸、微觀缺陷、微氣孔等材料微觀結構，研制出的氧化鋁陶瓷基片具有優異的電性能、物理性能及光學性能。與國外同類產品技術指標對比，材料性能可達到國外同類產品水平。

　　【技術指標】
　　氧化鋁含量：＞99.9%；
　　體積密度：＞3.95g/cm3；
　　體積電阻：＞1015Ω?cm；
　　介電常數（1MHz）：9.96；
　　表面粗糙度Ra：0.004-0.008μm；
　　Ry：0.02-0.08μm；
　　平整度：0.005mm；
　　尺寸規格：5英寸及以下規格。

　　【技術水平】國內領先

　　【可應用領域和范圍】電子行業

　　【技術狀態】小批量生產階段

　　【合作方式】合作開發、風險投資、產品銷售

　　【投入需求】500萬元

　　【轉化周期】1年

　　【預期效益】該技術的轉化成功將提高國內電子行業陶瓷基片高端產品的制造水平，改善目前大尺寸高純精拋氧化鋁陶瓷基片以國外進口為主的局面。

　　【聯系方式】張洪波 010-51167571/13501322918