技術(shù)參數(shù) 分辨率：1024×1024像素尺寸：15µm×15µm光譜范圍：400～1000nm靈敏度（@550nm）：2.7V/lux·s動(dòng)態(tài)范圍：70dB，85dB（雙斜）QE×FF：＞45%滿阱容量：＞200Ke-平均暗電流（@室溫）：100pA/cm2（實(shí)測(cè)20pA/cm2）FPN：＜0.8%offullwell（Global）PRNU：＜2%offullwell（Global）輸出幀頻：10幀/s（實(shí)測(cè)可達(dá)20幀/s）抗輻射總劑量：100krad(Si)（實(shí)測(cè)已達(dá)300krad(Si)）片上ADC：12位ESD：1500V功耗：350mW封裝形式：JLCC84外形尺寸：30.08mm×30.08mm×3.27mm工作溫度：-40℃～85℃
功能描述 該技術(shù)是數(shù)字、模擬混合超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)技術(shù)，是信息獲取與處理領(lǐng)域中圖像處理技術(shù)的重要組成部分，在消費(fèi)電子、工業(yè)生產(chǎn)、科學(xué)研究、空間探索、生物醫(yī)學(xué)、汽車、個(gè)人移動(dòng)產(chǎn)品等各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。技術(shù)開發(fā)單位長(zhǎng)期從事空間用CMOS圖像傳感器的研制，已突破了高靈敏度與高動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)技術(shù)、高抗輻射性能設(shè)計(jì)技術(shù)、高精度低噪聲讀出電路設(shè)計(jì)技術(shù)、高速高精度片上模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)技術(shù)、智能窗口時(shí)序控制電路設(shè)計(jì)技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，研制了我國(guó)首款百萬像素抗輻射CMOS圖像傳感器，在靈敏度、動(dòng)態(tài)范圍、暗電流、噪聲、幀頻等性能方面具有大幅提升，并進(jìn)行了批量生產(chǎn)工作。
 
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