技術參數 分辨率：1024×1024像素尺寸：15µm×15µm光譜范圍：400～1000nm靈敏度（@550nm）：2.7V/lux·s動態范圍：70dB，85dB（雙斜）QE×FF：＞45%滿阱容量：＞200Ke-平均暗電流（@室溫）：100pA/cm2（實測20pA/cm2）FPN：＜0.8%offullwell（Global）PRNU：＜2%offullwell（Global）輸出幀頻：10幀/s（實測可達20幀/s）抗輻射總劑量：100krad(Si)（實測已達300krad(Si)）片上ADC：12位ESD：1500V功耗：350mW封裝形式：JLCC84外形尺寸：30.08mm×30.08mm×3.27mm工作溫度：-40℃～85℃
功能描述 該技術是數字、模擬混合超大規模集成電路系統技術，是信息獲取與處理領域中圖像處理技術的重要組成部分，在消費電子、工業生產、科學研究、空間探索、生物醫學、汽車、個人移動產品等各個領域有著廣泛的應用。技術開發單位長期從事空間用CMOS圖像傳感器的研制，已突破了高靈敏度與高動態設計技術、高抗輻射性能設計技術、高精度低噪聲讀出電路設計技術、高速高精度片上模數轉換器設計技術、智能窗口時序控制電路設計技術等關鍵技術，研制了我國首款百萬像素抗輻射CMOS圖像傳感器，在靈敏度、動態范圍、暗電流、噪聲、幀頻等性能方面具有大幅提升，并進行了批量生產工作。
 
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