【技術簡介】陶瓷覆銅基板利用銅的含氧共晶體直接將銅覆接在陶瓷上，其基本原理是覆接過程前或過程中在銅與陶瓷之間引入適量的氧元素，在1065 ℃～1083 ℃范圍內（低于銅的熔點1083 ℃），銅與氧形成銅—氧共晶體，該共晶體一方面與陶瓷發生化學反應生成尖晶石的物質，另外一方面浸潤銅箔和陶瓷實現了陶瓷與銅箔的結合。先對銅片進行退火處理，然后把銅片與瓷片相結合在一起，通過燒結得到大面積的基板，接著在一個大面積的基板上布置多個單元陣列，再通過蝕刻得到目標圖形，最后通過劃片得到一個小單元。
　　
　　【技術特點】
　?。?）可得到任意圖形，能滿足不同客戶的需求；
　　（2）可提高生產效率，達到產業化目的，能滿足日益增長的需求；
　?。?）后段工藝技術借鑒成熟的PCB生產工藝技術，技術成熟度高。
　　
　　【技術水平】通過“八五”、“九五”的技術研究，在1998年開始建設陶瓷覆銅板生產線，1999年開始向市場提供產品，經過20多年建設，不斷拓展生產線，到目前已經形成了年生產能力200萬cm2生產規模，具有中小批量生產技術和能力，并長期供貨于我所軍用器件及多家功率器件廠，達到商業化程度。
　?。?）氧化鋁DBC產品具體技術指標如下：
　　導熱率：≥20W/m·K
　　線間距： ≤1 mm
　　剝離強度：≥ 5 Kgf/cm
　　空洞率：≤5%
　?。?）氮化鋁DBC產品具體技術指標如下：
　　導熱率：≥170W/m·K
　　線間距： ≤1 mm
　　剝離強度：≥ 5Kgf/cm
　　空洞率：≤5%
　　
　　【可應用領域和范圍】DBC基板具有熱導率高、載流能力強，附著力強、易得到各種圖形，是功率器件的標準電路板，被廣泛應用于LED、太陽能電池組件、動力牽引（高鐵、動車、城鐵等）、電力電子、航天航空、半導體致冷器、電子加熱器等各種領域。
　　
　　【專利狀態】共獲得2項發明專利。
　　
　　【技術狀態】小批量生產階段
　　
　　【合作方式】股權投資
　　
　　【投入需求】投資1000萬元，建立一條具有年產8120萬cm2能力的DBC生產線
　　
　　【預期效益】投資1000萬的規模，建立一條具有年產8120萬cm2能力的DBC生產線，預計達產后銷售收入可達到1.5億，利潤達到3000萬以上。
　　DBC基板技術軍轉民的實現，將推進我國IGBT器件的產業快速健康持續發展，打破國外對高導熱率的氮化鋁DBC基板的技術壟斷，有力推進我國智能電網、新能源發展、高鐵等行業的發展，為建設資源節約型和環境友好型社會奠定堅實基礎。

　　【聯系方式】程琨  0551-5743753