【技術簡介】該單位以VGF法鍺單晶生長技術制備超薄鍺片，已經解決了4英寸超薄鍺單晶片的切割、研磨、拋光、清洗、測試和封裝等關鍵技術，建成了4英寸超薄鍺單晶拋光片研制生產線。由于聚光后產生的高溫使光電轉換效率降低，因此具有較好耐熱性的以鍺為襯底的Ⅲ-Ⅴ族化合物電池，成為了高倍率CPV系統電池的必然選擇，也是低成本規模建造太陽能電站的有效途。

　　【技術特點】
　　（1）在單晶生長方面主要有以下優點。生長過程中溫度梯度低，有利于降低晶體內的應力，降低位錯密度；生長環境封閉，生長系統相對較小，設備控制易于實現；生長過程為坩堝內熔體的固化過程，生成的晶錠與坩堝形狀相同，不需復雜的等徑控制技術；加熱器為常用的電阻絲加熱方式，設備成本低。位錯密度控制在1000個/cm2以下。
　　（2）在超薄鍺片加工方面主要有以下優點。自主開發的鍺單晶多線切割工藝，具有材料損耗小，切割片幾何參數高的特點；背面磨削及弱性腐蝕技術既提高了鍺片的機械強度又保持了磨削面的表面狀態，同時也能夠達到消除磨削引入的內部應力、控制腐蝕片表面的粗糙度和清潔鍺片磨削面的目的；鍺片三步拋光工藝技術實現了拋光過程中化學作用和機械作用相平衡的效果，使拋光后超薄鍺片達到較好的幾何參數精度和表面粗糙度；獨特的清洗及封裝工藝在達到“開盒即用”的前提下，提高了鍺拋光片的保質期。

　　【技術水平】主要技術指標如下：
　　（1）生長方法：VGF法；
　　（2）鍺片直徑：100±0.3mm；
　　（3）導電類型：N型/P型；
　　（4）晶向：<100>偏<111> 9°±1；
　　（5）電阻率：0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；
　　（6）電阻率不均勻性≤15；
　　（7）位錯密度：P型≤1000個/cm2， N型≤3000個/cm2；
　　（8）晶片厚度：175±15μm；
　　（9）TTV：≤12μm；
　　（10）Bow：≤15μm；
　　（11）機械強度：≥ 3lbf。

　　【可應用領域和范圍】空間用多結化合物太陽能電池、地面聚光太陽能系統。

　　【專利狀態】已獲得專利4項

　　【技術狀態】批量生產階段

　　【合作方式】風險投資

　　【投入需求】使用該技術需具備相應的設備和場地，主要設備包括：多線切割機、全自動倒角機、化學腐蝕機、拋光機、清洗機等。普通廠房：面積1500平方米，七級凈化間：面積300平方米，四級凈化間：面積150平方米，相應的配套調價。

　　【預期效益】據預計,2011年至2015年國外聚光太陽能電池裝機容量將達6千兆瓦～8千兆瓦,到2020年全球聚光太陽能電池裝機容量將達80千兆瓦～90千兆瓦,所以鍺襯底片的需求量將達到8000萬片。另外，空間應用也給鍺襯底片提供了巨大的市場，中國將研制100顆以上空間飛行器，為鍺襯底片帶來了極大的市場機會。以年產10萬片、單價600元計算，每年將帶來6000萬的產值。

　　【聯系方式】楊東海   022-83870199   15222689966