合作信息
高端激光器芯片及封裝應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化
發(fā)布單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
所屬行業(yè)：電子信息
合作信息類(lèi)型：技術(shù)協(xié)作
機(jī)構(gòu)類(lèi)型：科研院所
供求關(guān)系：供應(yīng)
合作信息期限：2016-3
參考價(jià)格：面議
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合作信息簡(jiǎn)介
【技術(shù)簡(jiǎn)介】量子阱半導(dǎo)體激光器具備電光轉(zhuǎn)換效率高、光譜純度好、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，在激光高能武器、激光制導(dǎo)、激光測(cè)距、紅外對(duì)抗等軍事領(lǐng)域以及激光切割、激光涂覆、激光印刷、激光醫(yī)療、光通訊、紅外安防等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。
中國(guó)電科十三所早在上世紀(jì)80年代就開(kāi)發(fā)了第一支室溫工作紅外半導(dǎo)體激光器。目前已形成包括材料生長(zhǎng)、芯片制作、載體加工、封裝測(cè)試等完整的半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)制作技術(shù)平臺(tái)，擁有多項(xiàng)科技成果及專(zhuān)利。主要技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，部分技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
材料技術(shù)：采用MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積）外延工藝及MBE（分子束外延）外延工藝生長(zhǎng)高質(zhì)量的3英寸GaAs基、InP基量子阱激光器材料。其中應(yīng)變量子阱大光腔激光器材料、隧道級(jí)聯(lián)量子阱激光器材料、窄發(fā)散角光通訊量子阱激光器材料技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
芯片技術(shù)：擁有一條3英寸光電芯片工藝線(xiàn)，具備大功率多模芯片、大功率單模芯片、通訊用單模芯片的設(shè)計(jì)加工技術(shù)。大功率激光器芯片腔面鈍化鍍膜技術(shù)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。
載體封裝技術(shù)：大功率激光器封裝工藝（含載體制作）以及光通訊器件及組件封裝工藝，包括載體制作、焊料制作、高精度組裝等技術(shù)。
【技術(shù)特點(diǎn)】十三所激光器技術(shù)為全自主技術(shù)，外延片、芯片、載體可以根據(jù)用戶(hù)需求專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)制作，可以實(shí)現(xiàn)激光器波長(zhǎng)、光束質(zhì)量、外部接口更適合用戶(hù)需求。典型產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)全面達(dá)到進(jìn)口產(chǎn)品水平，可以實(shí)現(xiàn)快速替代；自主設(shè)計(jì)制作，不受進(jìn)口限制，生產(chǎn)周期短，性?xún)r(jià)比高。
具體技術(shù)特點(diǎn)包括：
3英寸外延及圓片工藝，兼顧均勻性及量產(chǎn)成本控制，激光器片內(nèi)波長(zhǎng)均勻性可控制在±1nm以?xún)?nèi)，芯片成品率大于90% 。
成熟的材料外延技術(shù)：MOCVD外延工藝、MBE外延工藝配合使用，可以實(shí)現(xiàn)腐蝕停止層外延、擴(kuò)展波導(dǎo)外延、級(jí)聯(lián)隧道結(jié)外延、二次外延等，滿(mǎn)足InP基、GaAs基各種激光器材料高質(zhì)量外延。
高效率、高可靠的芯片技術(shù)：基于外延材料、封裝結(jié)構(gòu)的綜合芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)，使得激光器在工作點(diǎn)具備最佳的電光轉(zhuǎn)換效率。特有的腔面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)輔助專(zhuān)有的腔面鈍化鍍膜技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)各種芯片高抗燒毀特性。
全面的封裝技術(shù)：具備高精度低熱阻載體熱沉制作技術(shù)、各種軟硬焊料制作技術(shù)、低應(yīng)力封裝工藝、高精度組裝技術(shù)，設(shè)計(jì)積累了大量具有專(zhuān)利保護(hù)的專(zhuān)用工裝夾具，能夠?qū)崿F(xiàn)各種高端器件的封裝。
【技術(shù)指標(biāo)】針對(duì)民用方面，可提供以下技術(shù)指標(biāo)、產(chǎn)品與生產(chǎn)研發(fā)技術(shù)：
（1）大功率激光器
波長(zhǎng)：780nm～1060nm
工作模式：連續(xù)、準(zhǔn)連續(xù)、脈沖
功率：50mW～500mW（單模）
200mW～8W（連續(xù)單管）
15W～300W（脈沖單管）
20W～48000W（陣列模塊）
電光轉(zhuǎn)換效率：≥50%（780nm～900nm）
≥60%（900nm～1060nm）
光輸出方式：直接輸出/整形輸出/光纖輸出
工作壽命：≥20000小時(shí)（連續(xù)單管）
≥5000小時(shí)（連續(xù)陣列）
≥1E10脈沖（脈沖器件）
工作環(huán)境溫度：-40℃～+70℃
（2）通訊用激光器
波長(zhǎng)： 1310nm～1550nm
功率：6mW、8mW、10mW
電光轉(zhuǎn)換效率：≥30%
速率：155Mbps、1.25Gbps、2.5Gbps、10Gbps
工作壽命：≥200000小時(shí)
工作環(huán)境溫度：-40℃～+85℃
【技術(shù)水平】國(guó)內(nèi)領(lǐng)先
【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】
激光加工：激光打標(biāo)、激光焊接、激光涂覆、激光印刷等。
光通訊行業(yè)：光發(fā)射器件、光收發(fā)模塊等。
激光醫(yī)療、紅外照明、激光測(cè)距等。
【專(zhuān)利狀態(tài)】已取得專(zhuān)利11項(xiàng)
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)、工程應(yīng)用階段
【合作方式】融資需求
【投入需求】5100萬(wàn)元
【轉(zhuǎn)化周期】2年
【預(yù)期效益】芯片及器件是光電技術(shù)鏈的高端，產(chǎn)業(yè)鏈的核心，成功的技術(shù)轉(zhuǎn)化將顯著改善我國(guó)在有源芯片及器件方面的落后情況，打破主要依賴(lài)進(jìn)口的不利局面，對(duì)提高我國(guó)光電子芯片及器件的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力具有重要意義。
光通訊市場(chǎng)以及激光加工、激光醫(yī)療等市場(chǎng)總額數(shù)十億元，且呈不斷增長(zhǎng)趨勢(shì)。國(guó)產(chǎn)芯片及器件產(chǎn)業(yè)化的成功，以其顯而易見(jiàn)的價(jià)格優(yōu)勢(shì)及保障優(yōu)勢(shì)，短期內(nèi)有望實(shí)現(xiàn)10億元以上的市場(chǎng)份額。
【聯(lián)系方式】李少鵬0311-87091278/15131151979
中國(guó)電科十三所早在上世紀(jì)80年代就開(kāi)發(fā)了第一支室溫工作紅外半導(dǎo)體激光器。目前已形成包括材料生長(zhǎng)、芯片制作、載體加工、封裝測(cè)試等完整的半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)制作技術(shù)平臺(tái)，擁有多項(xiàng)科技成果及專(zhuān)利。主要技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，部分技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
材料技術(shù)：采用MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積）外延工藝及MBE（分子束外延）外延工藝生長(zhǎng)高質(zhì)量的3英寸GaAs基、InP基量子阱激光器材料。其中應(yīng)變量子阱大光腔激光器材料、隧道級(jí)聯(lián)量子阱激光器材料、窄發(fā)散角光通訊量子阱激光器材料技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
芯片技術(shù)：擁有一條3英寸光電芯片工藝線(xiàn)，具備大功率多模芯片、大功率單模芯片、通訊用單模芯片的設(shè)計(jì)加工技術(shù)。大功率激光器芯片腔面鈍化鍍膜技術(shù)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。
載體封裝技術(shù)：大功率激光器封裝工藝（含載體制作）以及光通訊器件及組件封裝工藝，包括載體制作、焊料制作、高精度組裝等技術(shù)。
【技術(shù)特點(diǎn)】十三所激光器技術(shù)為全自主技術(shù)，外延片、芯片、載體可以根據(jù)用戶(hù)需求專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)制作，可以實(shí)現(xiàn)激光器波長(zhǎng)、光束質(zhì)量、外部接口更適合用戶(hù)需求。典型產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)全面達(dá)到進(jìn)口產(chǎn)品水平，可以實(shí)現(xiàn)快速替代；自主設(shè)計(jì)制作，不受進(jìn)口限制，生產(chǎn)周期短，性?xún)r(jià)比高。
具體技術(shù)特點(diǎn)包括：
3英寸外延及圓片工藝，兼顧均勻性及量產(chǎn)成本控制，激光器片內(nèi)波長(zhǎng)均勻性可控制在±1nm以?xún)?nèi)，芯片成品率大于90% 。
成熟的材料外延技術(shù)：MOCVD外延工藝、MBE外延工藝配合使用，可以實(shí)現(xiàn)腐蝕停止層外延、擴(kuò)展波導(dǎo)外延、級(jí)聯(lián)隧道結(jié)外延、二次外延等，滿(mǎn)足InP基、GaAs基各種激光器材料高質(zhì)量外延。
高效率、高可靠的芯片技術(shù)：基于外延材料、封裝結(jié)構(gòu)的綜合芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)，使得激光器在工作點(diǎn)具備最佳的電光轉(zhuǎn)換效率。特有的腔面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)輔助專(zhuān)有的腔面鈍化鍍膜技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)各種芯片高抗燒毀特性。
全面的封裝技術(shù)：具備高精度低熱阻載體熱沉制作技術(shù)、各種軟硬焊料制作技術(shù)、低應(yīng)力封裝工藝、高精度組裝技術(shù)，設(shè)計(jì)積累了大量具有專(zhuān)利保護(hù)的專(zhuān)用工裝夾具，能夠?qū)崿F(xiàn)各種高端器件的封裝。
【技術(shù)指標(biāo)】針對(duì)民用方面，可提供以下技術(shù)指標(biāo)、產(chǎn)品與生產(chǎn)研發(fā)技術(shù)：
（1）大功率激光器
波長(zhǎng)：780nm～1060nm
工作模式：連續(xù)、準(zhǔn)連續(xù)、脈沖
功率：50mW～500mW（單模）
200mW～8W（連續(xù)單管）
15W～300W（脈沖單管）
20W～48000W（陣列模塊）
電光轉(zhuǎn)換效率：≥50%（780nm～900nm）
≥60%（900nm～1060nm）
光輸出方式：直接輸出/整形輸出/光纖輸出
工作壽命：≥20000小時(shí)（連續(xù)單管）
≥5000小時(shí)（連續(xù)陣列）
≥1E10脈沖（脈沖器件）
工作環(huán)境溫度：-40℃～+70℃
（2）通訊用激光器
波長(zhǎng)： 1310nm～1550nm
功率：6mW、8mW、10mW
電光轉(zhuǎn)換效率：≥30%
速率：155Mbps、1.25Gbps、2.5Gbps、10Gbps
工作壽命：≥200000小時(shí)
工作環(huán)境溫度：-40℃～+85℃
【技術(shù)水平】國(guó)內(nèi)領(lǐng)先
【可應(yīng)用領(lǐng)域和范圍】
激光加工：激光打標(biāo)、激光焊接、激光涂覆、激光印刷等。
光通訊行業(yè)：光發(fā)射器件、光收發(fā)模塊等。
激光醫(yī)療、紅外照明、激光測(cè)距等。
【專(zhuān)利狀態(tài)】已取得專(zhuān)利11項(xiàng)
【技術(shù)狀態(tài)】小批量生產(chǎn)、工程應(yīng)用階段
【合作方式】融資需求
【投入需求】5100萬(wàn)元
【轉(zhuǎn)化周期】2年
【預(yù)期效益】芯片及器件是光電技術(shù)鏈的高端，產(chǎn)業(yè)鏈的核心，成功的技術(shù)轉(zhuǎn)化將顯著改善我國(guó)在有源芯片及器件方面的落后情況，打破主要依賴(lài)進(jìn)口的不利局面，對(duì)提高我國(guó)光電子芯片及器件的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力具有重要意義。
光通訊市場(chǎng)以及激光加工、激光醫(yī)療等市場(chǎng)總額數(shù)十億元，且呈不斷增長(zhǎng)趨勢(shì)。國(guó)產(chǎn)芯片及器件產(chǎn)業(yè)化的成功，以其顯而易見(jiàn)的價(jià)格優(yōu)勢(shì)及保障優(yōu)勢(shì)，短期內(nèi)有望實(shí)現(xiàn)10億元以上的市場(chǎng)份額。
【聯(lián)系方式】李少鵬0311-87091278/15131151979
