【技術簡介】本技術采用TSA分離原理，成功實現了工程化放大，由小試規模5Nm3/h放大到1000Nm3/h的工業規模。

　　高純氯氣純化主要采用了如下關鍵技術：

　　1、采用二級吸附，雙塔串聯。一級粗脫塔除去大部分水份，二級精脫塔保證出口水含量在1 ppm以下，兩組交替使用保證系統連續生產。
　　2、核心設備吸附塔設計成帶中心管電加熱器，外部帶夾套的結構。再生時夾套內通蒸汽加熱，加熱到一定溫度后由中心管電加熱器實現溫度控制，吸附生產時，夾套通冷卻水，以提高吸附效率和吸附深度。
　　3、中心管加熱器和吸附塔內表面帶導熱翅片以強化傳熱速率，使再生周期縮短一半，從而大大減小了設備尺寸和吸附劑用量，節省了投資。
　　4、采取夾套蒸汽加熱節省了電耗，使運行成本大大降低。
　　5、高溫再生時利用一臺熱能回收換熱器，回收了余熱，進一步節省了能源。
　　6、整套系統采用了PLC或DCS控制，實現了全自動無人操作。

　　【技術特點】我院的高純氯氣凈化技術所生產出的氯氣含水量小于1ppm，實現了引進光纖生產線氯氣凈化及供氣系統國產化的目標，在國內屬首創，經與進口氯氣分析測試比較，其質量達到和超過國際先進水平。

　　自2006年以來，隨著半導體工業、電子信息產業特別是太陽能光伏產業的迅猛發展，高純氯氣的需求就變的更為緊迫。傳統的氯氣除水工藝采用濃硫酸作為吸收劑，所得到的氯氣含水量一般在100ppm以上，而國外多晶硅企業的氯氣含水量都遠小于此數值。我院的高純氯凈化技術經工業化放大所得到的氯氣含水量在1ppm以下。

　　【技術指標】


　　電子級氯產品質量指標


項目
 指標
 
氯（CL2）含量（體積分數）/10-2             ≥
 99.996
 
氧（O2）含量（體積分數）/10-6             ≤
 4
 
氮（N2）含量（體積分數）/10-6             ≤
 20
 
一氧化碳（CO）含量（體積分數）/10-6      ≤
 1
 
二氧化碳（CO2）含量（體積分數）/10-6     ≤
 10
 
烴（C1～C3）含量（體積分數）/10-6        ≤
 1
 
水（H2O）含量（體積分數）/10-6           ≤
 3
 
注：1、C1～C3系指CH4、C2H2、C2H4、C2H6
    2、高純氯中金屬和顆粒的要求及檢驗由供方與用戶商定。
 

 
　　【技術水平】國內領先

　　【可應用領域和范圍】主要用于半導體元器件和大規模集成電路制造工序中的熱氧化、晶體生長和MOCVD法生產單膜光導纖維預制件，以及有關工業、基礎科學研究等尖端技術。高純氯用作半導體材料的氣體刻蝕劑，特別是與三氯化硼混合可用作鋁的刻蝕；還可用于新能源電池、原子能、航天工業等亟需的高純石墨制備。

　　【專利狀態】已取得專利1項

　　【技術狀態】批量生產、成熟應用階段

　　【合作方式】技術轉讓合作開發技術服務

　　【投入需求】100 萬元

　　【轉化周期】3個月

　　【預期效益】本工程項目的研發成功，填補了我國高純氯氣工業化生產的空白。 我國是氯堿工業大國，氯氣產量排世界前列。除氯堿工業用氯以外，尚有相當多的余氯產品。氯堿工業面臨產業結構調整的最大問題是余氯下游產品的開發利用。高純氯氣工業化的研發成功必將為氯堿工業余氯的綜合利用開辟廣闊的前景，具有很好的社會效益和經濟效益。

　　【聯系方式】高天龍0411-85961041/13050517064