在太陽能光伏發(fā)電和電子工業(yè)的快速發(fā)展的情況下，大直徑、高純度的晶體硅的需求越來越大。該項(xiàng)目利用磁場結(jié)合覆蓋液技術(shù)，獲得了磁場和覆蓋劑共同控制下熱對流及溫度波演化的三維時空圖像，以及磁場強(qiáng)度、幾何特征及覆蓋劑的厚度、雜質(zhì)等外在參數(shù)對單晶硅生長質(zhì)量控制，通過抑制熔體的熱對流和溫度波動，降低熔硅與石英坩堝的反應(yīng)速率，控制氧的濃度和分布，從而在磁場中生長出高質(zhì)量大直徑的硅單晶。      技術(shù)特點(diǎn)：（1）結(jié)合覆蓋劑的應(yīng)用，獲得不同磁場下，硅熔體內(nèi)熱對流產(chǎn)生的臨界條件、演化規(guī)律；（2）在磁場作用下，對流中的最大渦量強(qiáng)度減小到 20.7（1/s）；（3）完全抑制了對流的不穩(wěn)定和溫度的波動；（4）利用覆蓋劑的磷雜質(zhì)直接對單晶硅進(jìn)行摻雜性。      應(yīng)用領(lǐng)域及前景：該項(xiàng)目技術(shù)成熟，其應(yīng)用對太陽能電池生產(chǎn)具有重大意義。