納米材料特有的量子尺寸效應、小尺寸效應、表面/界面效應和宏觀量子隧穿效應，以及半導體納米粒子的庫侖堵塞和量子隧穿效應、介電限域效應、Fano效應、Kondo效應等，使得半導體納米材料表現出與宏觀材料具有顯著差異的熱、磁、電、聲、光等性能。金屬鉍是一種重要的半導體功能摻雜材料，尤其鉍系氧化物半導體材料表現出明顯優異的高介電性、鐵電性、催化性、超導性等。氧化鉍是制備氧化物半導體材料的重要原材料，納米氧化鉍粉體可以有效改善金屬鉍在功能材料中的分布，降低燒結溫度，提供功能材料的性能。 技術指標：    南京理工大學金屬納米材料與技術聯合實驗室研發的具有獨立知識產權的溶劑熱合成納米氧化鉍單晶片方法，可合成單晶氧化鉍納米片，延( 5 34 )晶面有生長優勢，厚度約40-70 nm，形貌單一、尺寸分布范圍窄，帶隙明顯藍移至2.92 eV。用于制備鉍的氧化物半導體納米材料，過程中無雜質的引入，且利于鉍元素在半導體功能材料中的均勻分布，進而提高功能材料的性能。