磷化鋅鍺 (ZnGeP2， ZGP)和砷化鍺鎘(CdGeAs2， CGA)晶體是黃銅礦類半導體晶體中綜合性能最好的，這兩種晶體是所有已知的非線性光學晶體中非線性系數最高者之一。本人于2003年獲得國家自然科學基金資助，進行ZGP的研制；同時，2003年1月-2004年1月獲國家教委留學基金資助，在美國斯坦福大學先進材料實驗室Feigelson教授研究組從事ZnGeP2和CdGeAs2晶體的生長研究工作。在此工作的1年時間里，生長CdGeAs2和CdGe(As1-xPx)2 晶體23根，共獲得測試樣品110塊，進行了吸收系數、電子順磁共振、電子顯微探針、霍爾效應的測試，取得了很好的實驗結果。另外，應英國皇家學院和牛津大學的共同邀請于2004年8月至10月，在牛津大學材料系通過先進的測試儀器對磷化鍺鋅晶體的微觀結構進行了深入細致的研究。目前，生長出的晶體性能達到國際先進水平，尺寸長度達到10cm。 應用領域：    利用它作為光參量振蕩、光參量放大、二次諧波、四次諧波等的非線性介質材料，可以在中、遠紅波段的頻率轉換方面獲得廣闊的應用前景，尤其是對激光功率要求較高的領域，獲得廣闊的應用前景，如紅外光譜、紅外醫療器械、藥物檢測、紅外光刻、大氣中有害物質的監測、遠距離化學傳感、紅外激光定向干擾、夜視儀等。