合作信息
半導(dǎo)體體材料的方法">一種制備 P 型 CuAlO2 半導(dǎo)體體材料的方法
發(fā)布單位：浙江大學(xué)長(zhǎng)沙技術(shù)轉(zhuǎn)移中心
所屬行業(yè)：新材料
合作信息類型：意向合作
機(jī)構(gòu)類型：企業(yè)
供求關(guān)系：供應(yīng)
合作信息期限：2016-7
參考價(jià)格：面議
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合作信息簡(jiǎn)介
成果名稱：半導(dǎo)體體材料的方法">一種制備 P 型 CuAlO2 半導(dǎo)體體材料的方法
成果擁有單位：浙江大學(xué)
成果簡(jiǎn)介：
本發(fā)明提出了一種簡(jiǎn)單快速制備高質(zhì)量的、具有 P 型導(dǎo)電性 CuAlO2 半導(dǎo)體體材料的方法。將 Cu2O 粉末和 Al2O3 粉末以 1:1 的摩爾比配料;裝入球磨罐中球磨 3-5 小時(shí),獲得粒徑不超過(guò) 300nm、混合均勻的原料粉末;再利用粉末壓片機(jī),在 30MPa 的靜壓制壓力下保壓 1-3 分鐘,將混合均勻的粉末壓制成直徑約 3cm、高度 2-5mm 的圓柱狀靶材坯料;然后利用真空陶瓷管管式爐,在氬氣保護(hù)及優(yōu)化的升降溫速率、 保溫溫度和反應(yīng)氣壓條件下燒結(jié)得到單一晶相的 CuAlO2 體材料。本發(fā)明制備 P 型 CuAlO2 半導(dǎo)體材料具有燒結(jié)時(shí)間短,產(chǎn)量大,產(chǎn)物純度高等優(yōu)點(diǎn),是進(jìn)一步制備高質(zhì)量 P 型 CuAlO2 薄膜的理想原料,在真空鍍膜領(lǐng)域具有很大應(yīng)用前景。
合作方式：面議。
聯(lián)系方式：
地址：湖南省長(zhǎng)沙市麓景路2號(hào)長(zhǎng)沙市生產(chǎn)力促進(jìn)中心
郵編：410205
聯(lián)系人：鐘康
電話：0731-88299620
E-mail：120946583@qq.com
成果擁有單位：浙江大學(xué)
成果簡(jiǎn)介：
本發(fā)明提出了一種簡(jiǎn)單快速制備高質(zhì)量的、具有 P 型導(dǎo)電性 CuAlO2 半導(dǎo)體體材料的方法。將 Cu2O 粉末和 Al2O3 粉末以 1:1 的摩爾比配料;裝入球磨罐中球磨 3-5 小時(shí),獲得粒徑不超過(guò) 300nm、混合均勻的原料粉末;再利用粉末壓片機(jī),在 30MPa 的靜壓制壓力下保壓 1-3 分鐘,將混合均勻的粉末壓制成直徑約 3cm、高度 2-5mm 的圓柱狀靶材坯料;然后利用真空陶瓷管管式爐,在氬氣保護(hù)及優(yōu)化的升降溫速率、 保溫溫度和反應(yīng)氣壓條件下燒結(jié)得到單一晶相的 CuAlO2 體材料。本發(fā)明制備 P 型 CuAlO2 半導(dǎo)體材料具有燒結(jié)時(shí)間短,產(chǎn)量大,產(chǎn)物純度高等優(yōu)點(diǎn),是進(jìn)一步制備高質(zhì)量 P 型 CuAlO2 薄膜的理想原料,在真空鍍膜領(lǐng)域具有很大應(yīng)用前景。
合作方式：面議。
聯(lián)系方式：
地址：湖南省長(zhǎng)沙市麓景路2號(hào)長(zhǎng)沙市生產(chǎn)力促進(jìn)中心
郵編：410205
聯(lián)系人：鐘康
電話：0731-88299620
E-mail：120946583@qq.com
