成果名稱：類金剛石薄膜半導體光電性能和應用的研究

　　成果擁有單位：廈門大學

　　成果簡介：

　　類金剛石半導體薄膜特點：寬帶隙并且可在2ev～5ev范圍內調節(jié)。高臨界擊穿電壓、高熱導率、高載流子飽和漂移速度。可在高溫、輻射、腐蝕等惡劣環(huán)境下工作。可能在大功率、光電子、抗輻射、顯示、紫外探測等半導體器件獲得應用。具有很高的電子親和勢，可用于制備各種微真空器件的冷陰極。制造成本低。以甲烷、乙炔等氣體為原料采用PECVD等方法生長。本項目處于探索階段，先測量和分析人工生長的類金剛石薄膜各種半導體光電性能，如禁帶寬度、導電類型、遷移率、摻雜濃度、介電常數、折射率、厚度等基本參數和特性，改進材料生長條件，探索類金剛石薄膜材料在半導體光電器件的可能應用。類金剛石半導體薄膜作為最有應用前景的寬帶材料之一，可制備大功率、光電子、抗輻射、顯示、紫外探測等新型半導體器件，可在高溫、輻射、腐蝕等惡劣環(huán)境下工作，并有可能用于制備各種功能的微真空器件。投產條件：合作伙伴最好是類金剛石半導體薄膜材料的生產或研發(fā)單位，已具有類金剛石半導體薄膜生長設備，能提供研發(fā)所需要的類金剛石半導體薄膜。投產資金：10萬元人民幣從事類金剛石薄膜半導體光電基本性能的材料和分析。若需要新建立類金剛石半導體薄膜材料生長設備，另需約30萬元人民幣。預期經濟效益：本項目是源頭創(chuàng)新的研發(fā)工作。先投入少量經費開展類金剛石薄膜半導體基本性質的研究，改進現(xiàn)有薄膜材料生長工藝，使所生長的薄膜材料能適應半導體器件的要求;再探索用類金剛石薄膜材料研發(fā)各種新型半導體器件的可能性并盡快研發(fā)出適合市場需要的新型半導體器件。

　　合作方式：合作開發(fā)。

　　聯(lián)系方式：

　　聯(lián) 系 人：陳 朝

　　聯(lián)系電話：0592-2182458(O); 2180940(H)

　　E - mail ：cchen@xmu.edu.cn