成果名稱：高頻用軟磁薄膜材料

　　成果擁有單位：廈門大學

　　成果簡介：

　　在信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，為了滿足人們對于手機、計算機、便攜式數(shù)碼設備等電子產(chǎn)品進一步輕便、小巧等的使用需求，必須使其核心的電磁元器件向微型化、薄膜化、集成化等方向發(fā)展。隨著電路中的射頻磁器件的體積不斷縮小，使用頻率不斷提高，傳統(tǒng)的鐵氧體材料由于其飽和磁化強度低，使其在GHz使用頻率下無法保持高的磁導率，這就迫切需要開發(fā)一種能夠應用于GHz頻率范圍的高頻軟磁薄膜材料。目前國內(nèi)外的科研人員采用不同方法研究并制備了多種軟磁薄膜材料，如CoPdAlO(Sharp公司)、CoZrTa(Intel公司)、CoFeSiO/SiO2(Taiyo Yuden公司)等，但是很難滿足在具有高飽和磁化強度的同時又具有很高電阻率的要求，因此在高頻應用上存在局限性，無法有效抑制高頻渦流損耗。本項目采用磁控濺射沉積方法，以高飽和磁化強度的鐵磁金屬及合金為基礎，添加適量非磁性金屬，并在沉積過程中控制氧的攙雜，使鐵磁性晶粒界面輕微氧化，制備出了具有面內(nèi)單軸磁各向異性的磁性納米薄膜及多層膜。在維持其高飽和磁化強度的同時具有較高電阻率(可有效降低高頻損耗)，并可以在無誘導磁場情況下，將薄膜的鐵磁共振頻率拓展至GHz頻段，有助于射頻電磁器件的小型化和高頻化。已經(jīng)完成實驗室階段的研究，取得很好的性能指標。該成果已申請國家發(fā)明專利。射頻集成電路中的電磁元件，如薄膜電感、變壓器、抗EMI器件等。以全球片式電感器市場為例，半數(shù)以上被日系廠商如TDK、Taiyo、Murata等占據(jù)，我國電感器產(chǎn)量僅占世界總量的15%。以目前信息產(chǎn)業(yè)尤其是微波通訊技術(shù)相關設備更新?lián)Q代的發(fā)展程度來看，有良好的市場前景和經(jīng)濟效益。磁控濺射沉積設備以及相應靶材。預期經(jīng)濟效益可觀。

　　合作方式：合作開發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)讓。

　　聯(lián)系方式：

　　聯(lián) 系 人： 彭棟梁

　　電話： 18959280155，0592-2180155

　　E - mail ： dlpeng@xmu.edu.cn