成果名稱：高頻用軟磁薄膜材料

　　成果擁有單位：廈門大學(xué)

　　成果簡(jiǎn)介：

　　在信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，為了滿足人們對(duì)于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、便攜式數(shù)碼設(shè)備等電子產(chǎn)品進(jìn)一步輕便、小巧等的使用需求，必須使其核心的電磁元器件向微型化、薄膜化、集成化等方向發(fā)展。隨著電路中的射頻磁器件的體積不斷縮小，使用頻率不斷提高，傳統(tǒng)的鐵氧體材料由于其飽和磁化強(qiáng)度低，使其在GHz使用頻率下無法保持高的磁導(dǎo)率，這就迫切需要開發(fā)一種能夠應(yīng)用于GHz頻率范圍的高頻軟磁薄膜材料。目前國內(nèi)外的科研人員采用不同方法研究并制備了多種軟磁薄膜材料，如CoPdAlO(Sharp公司)、CoZrTa(Intel公司)、CoFeSiO/SiO2(Taiyo Yuden公司)等，但是很難滿足在具有高飽和磁化強(qiáng)度的同時(shí)又具有很高電阻率的要求，因此在高頻應(yīng)用上存在局限性，無法有效抑制高頻渦流損耗。本項(xiàng)目采用磁控濺射沉積方法，以高飽和磁化強(qiáng)度的鐵磁金屬及合金為基礎(chǔ)，添加適量非磁性金屬，并在沉積過程中控制氧的攙雜，使鐵磁性晶粒界面輕微氧化，制備出了具有面內(nèi)單軸磁各向異性的磁性納米薄膜及多層膜。在維持其高飽和磁化強(qiáng)度的同時(shí)具有較高電阻率(可有效降低高頻損耗)，并可以在無誘導(dǎo)磁場(chǎng)情況下，將薄膜的鐵磁共振頻率拓展至GHz頻段，有助于射頻電磁器件的小型化和高頻化。已經(jīng)完成實(shí)驗(yàn)室階段的研究，取得很好的性能指標(biāo)。該成果已申請(qǐng)國家發(fā)明專利。射頻集成電路中的電磁元件，如薄膜電感、變壓器、抗EMI器件等。以全球片式電感器市場(chǎng)為例，半數(shù)以上被日系廠商如TDK、Taiyo、Murata等占據(jù)，我國電感器產(chǎn)量?jī)H占世界總量的15%。以目前信息產(chǎn)業(yè)尤其是微波通訊技術(shù)相關(guān)設(shè)備更新?lián)Q代的發(fā)展程度來看，有良好的市場(chǎng)前景和經(jīng)濟(jì)效益。磁控濺射沉積設(shè)備以及相應(yīng)靶材。預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益可觀。

　　合作方式：合作開發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)讓。

　　聯(lián)系方式：

　　聯(lián) 系 人： 彭?xiàng)澚?br>
　　電話： 18959280155，0592-2180155

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